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研发方向
项目
目前能力
2016
2017
最高层数
32
36
40
线宽/线距
内层(mil)
 3 / 3
3 / 3
2.5 / 2.5
外层(mil)
 4 / 4
4 / 3
3 / 3
板厚/孔径比
13 : 1
14 : 1
16 : 1
铜 厚(oz)
6
8
10
阻抗控制
±10%
±8%
±5%
材料
高频/微波材料
SV
SV
SV
无卤素材料
SV
SV
SV
无铅材料
MP
MP
MP
混合层压
SV
MP
MP
金属基/芯
MP
MP
MP
高Tg
MP
MP
MP
HDI
4+N+4
P
P
SV
埋入式电阻/电容
P
P
SV
P: 样品 SV: 小批量  MP:大批量
 
 
 

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